14 Décembre – Soutenance de thèse - Alexandre Bachelet
10 h Amphi Jean-Paul Dom - laboratoire IMS / bâtiment A31 (campus de Talence)
Étude de la structure et des interfaces d'un transistor organique électroluminescent.
Le transistor organique électroluminescent (OLET) est l’objet de beaucoup d’attention dans la communauté de recherche en électronique organique. Sa spécificité est la réunion des propriétés électroniques des transistors à effet de champ avec les propriétés d’émission des diodes électroluminescentes. Elle promet donc des avancées majeures dans la simplification de l’ingénierie de circuit dans des application pour les technologies d’affichage. Les performances affichées par les OLETs en font aussi des candidats potentiels pour être l’architecture de base du laser organique pompé électriquement qui est un des grands défis de la recherche en électronique organique. C’est dans cet environnement que ce travail de doctorat trouve sa problématique. Il s’agit de faire une étude assez générale de la structure d’un OLET et des interfaces qui s’y trouvent. Dans un premier temps un travail a été effectué sur la sélection du type de structure et sur les matériaux utilisés pour obtenir un OLET avec des performances reproductibles. Un dispositif de base a pu être mis au point présentant des émissions de l’ordre de la dizaine de mW.cm-2. Un travail d’optimisation a ensuite été consacré à l’ajout de couches aux interfaces importantes. Les effets de différentes couches bloquantes de trous ont été comparés en étudiant les effets de blocage et d’injection de charges. Ainsi des OLETs avec des tensions d’opération de 5V ont été mis au point. Un effet de cavité a pu être observé dans nos OLETs. Cet effet apparaît grâce à la structure spécifique qui se compose d’une électrode de grille et de drain en aluminium. Un ajustement de la couleur dans toute la gamme du visible a pu être effectué juste en changeant l’épaisseur de la couche émissive. Par conséquent des modélisations optiques ont été entreprises pour comprendre le phénomène. D’autre études ont été menées pour améliorer la densité de courant des OLETs. Le dopage moléculaire et le dépôt sur un substrat à la température contrôlée sont deux techniques utilisées. Bien que les effets sur le courant soient positifs, l’émission des dispositifs n’est pas améliorée. En parallèle l’intégration de matériaux qui sont bons milieux à gain pour laser a été tenté. Elle a permis la mise au point réussi d’un OLET utilisant un milieu matrice-invité.
