30 Mai – Soutenance de thèse - Fabien Mesquita

10 h30 Amphi J.P. Dom - laboratoire IMS (bâtiment A31) / Université de Bordeaux - campus de Talence

Conception d’amplificateurs de puissance CMOS pour le standard LTE.

Le standard LTE permet l’accès au très haut débit mobile et évolue afin d’adresser les applications embarquées de type objets connectés, ou IoT. Mais dans la perspective d’un émetteur-récepteur LTE fabriqué dans une technologie CMOS faible-coût et hautement intégrable, l’amplificateur de puissance (PA) reste le seul bloc actif non intégré à ce jour. De plus, l’utilisation de modulations en quadrature oblige la conception de PA très linéaires, résultant en une consommation statique plus importante. Dans ce contexte, ces travaux de thèse portent sur la recherche de composants et de circuits permettant de résoudre le compromis entre la linéarité et la consommation du PA. Deux axes de travail sont identifiés et développés dans cette thèse. Le premier porte sur l’utilisation d’un transistor de puissance intégrable en CMOS. Trois cellules de puissance basées sur ce composant sont présentées, de l’étude théorique aux résultats de mesure. Dans le second, ce transistor est intégré dans une architecture avancée de PA entièrement réalisée en CMOS. Une méthode de conception de transformateurs intégrés est également développée. Le PA proposé est reconfigurable pour adresser les différents besoins imposés par le LTE : hautes performances, haute linéarité et faible consommation.

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